三星研發(fā)出新型NAND閃存，打造更快更高效的手機
三星悄悄證實，它使用一種名為 Cell Multi Bonding 的技術(shù)，實現(xiàn)了 900 層級的 V-NAND 原型，該技術(shù)將兩個 450 層單元晶圓粘合到一個單元中。
自2013年推出全球首款3D V-NAND閃存以來，該公司一直穩(wěn)步發(fā)展。要達(dá)到900層，需要解決兩個棘手的難題。晶圓翹曲（硅片在應(yīng)力作用下發(fā)生物理彎曲）幾乎讓整個項目胎死腹中。
三星通過重新設(shè)計上卡盤系統(tǒng)解決了這個問題。
該公司采用一種名為“新型套刻校正技術(shù)”的方法解決了微觀鍵合錯位問題。據(jù)ETNews（通過Jukan） 報道，新的位線和字線結(jié)構(gòu)同時降低了功耗和芯片尺寸 。
NAND閃存是手機到人工智能數(shù)據(jù)中心等各種設(shè)備的存儲骨干。在相同的芯片尺寸內(nèi)集成更多層意味著更大的容量、更低的功耗和更經(jīng)濟(jì)的規(guī)?；a(chǎn)成本。
SK海力士目前在321層NAND閃存的量產(chǎn)方面處于領(lǐng)先地位。三星正在準(zhǔn)備其第十代V-NAND閃存，該閃存擁有400層。中國的長江存儲（YMTC）也即將達(dá)到300層。
900層NAND閃存不僅僅比300層NAND閃存先進(jìn)三倍，它代表了堆疊工藝技術(shù)的一次范式轉(zhuǎn)變。
手機和人工智能服務(wù)器都需要在日益狹小的空間內(nèi)實現(xiàn)高容量、高效率的存儲。三星正在打造使下一代人工智能硬件真正可行的組件。
這項技術(shù)未來有望實現(xiàn)商業(yè)化。目前尚無具體時間表表明900層NAND閃存何時會作為通用產(chǎn)品正式面世。
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