三星Galaxy S6性能全解析----他有一顆變態(tài)級(jí)的處理器！ 圖片
你知道三星Galaxy S6/S6 edge都有什么的硬件配置么？
它擁有當(dāng)下最強(qiáng)的硬件能力，包括5.1英寸的QUAD HD SuperAmoled顯示屏，2560x1440像素的2K分辨率，再加上三星最新的Exynos 7420八核平臺(tái)，以及3GB DDR4內(nèi)存和1600萬(wàn)像素，并且還擁有快速充電、無(wú)線充電、4G Cat6、心率識(shí)別等諸多創(chuàng)新功能。
那你知道這些炫酷的硬件配置有著怎樣的實(shí)際使用意義么？
看了本文你就知道。
最為出色的無(wú)疑就是Exynos 7420處理器，而這顆處理器最大的特點(diǎn)就是使用14nm FinFET工藝，毫無(wú)疑問(wèn)這是目前業(yè)內(nèi)最頂尖的水準(zhǔn)。目前除了三星Exynos 7420外，甚至只有英特爾在全新的酷睿i7桌面平臺(tái)上使用該工藝。所以在高通旗艦芯片驍龍810還處于20nm工藝時(shí)，三星已經(jīng)從工藝和性能上完爆高通、海思、聯(lián)發(fā)科等芯片廠商。
我們知道知道芯片工藝的制程數(shù)值越小，就可以帶來(lái)更強(qiáng)勁的性能，并且功耗就會(huì)更低。而原因是為什么呢?實(shí)際上一個(gè)處理器是由不同材料制成的許多“層”堆疊在一起而形成的電 路，里面包含了晶體管、電阻器、以及電容器等微小元件。這些元器組件之間的距離我們通常就用“納米”來(lái)描述它。所以14nm實(shí) 際上縮短了元器件的間距，一方面可以布局更多的芯片元器件，另一方面也只需要更小的電壓，所以性能和功耗都會(huì)得到提升。
三星Exynos 7420處理器之所以優(yōu)秀，最主要的原因就就是14nm FinFET制程工藝。其實(shí)三星在半導(dǎo)體制造方面實(shí)際上非常超前，而目前也僅有三星一家可以正式大規(guī)模量產(chǎn)14nm FinFET工藝的移動(dòng)設(shè)備芯片，甚至傳言蘋(píng)果下一代A9處理器也都會(huì)使用三星制程技術(shù)。
有不少媒體說(shuō)明這顆處理器集成基帶，實(shí)際上這并不正確。我們?cè)诤腿枪ぷ魅藛T取得聯(lián)系后得知，實(shí)際上Exynos 7420處理器并沒(méi)有集成三星自己的基帶，而是單獨(dú)使用高通MDM系列的基帶解決方案，而這也是國(guó)行版的三星Galaxy S6 edge會(huì)有全網(wǎng)通版本的原因。
另外除了Exynos 7420芯片外，三星Galaxy S6/S6 edge在硬件上實(shí)際上還有兩個(gè)亮點(diǎn)，分別是LPDDR4內(nèi)存和UFS2.0技術(shù)。
關(guān)于LPDDR4內(nèi)存，這將會(huì)是今年的旗艦新標(biāo)準(zhǔn)。雖然之前小米Note率先宣布會(huì)使用4GB LPDDR4內(nèi)存，不過(guò)對(duì)于小米的“期貨”風(fēng)格，相信短時(shí)間內(nèi)不會(huì)面世。所以三星Galaxy S6將會(huì)是首款搭載LPDDR4內(nèi)存的產(chǎn)品。在性能上新的LPDDR4將會(huì)比現(xiàn)有LPDDR3內(nèi)存提升50%，可提供32Gbps的帶寬(為L(zhǎng)PDDR3的2倍)，實(shí)際應(yīng)用上會(huì)帶來(lái)更高效的反應(yīng)能力和啟動(dòng)速度。同時(shí)由于LPDDR4內(nèi) 存的工作電壓降低至1.1V，所以耗電量也會(huì)降低40%左右。
LPDDR4實(shí)際上也并非是三星S6獨(dú)有，目前高通驍龍810、三星Exynos 7420、英特爾Atom Z3500這三款處理器都能支持LPDDR4內(nèi)存，而這三款處理器均是定位于高端市場(chǎng)之列，相信后續(xù)會(huì)有一大波產(chǎn)品使用該內(nèi)存。
另外一個(gè)則是UFS 2.0技術(shù)，它的是Universal Flash Storage(通用閃存芯片)縮寫(xiě)，是三星在S6前發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)芯片，支持“Command Queue”技術(shù)，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)讀取和寫(xiě)入操作，期間的電源管理也更高效。目前UFS 2.0的讀寫(xiě)速度比當(dāng)下旗艦手機(jī)所使用的eMMC 5.0快了3倍，理論傳輸速度甚至高達(dá)1.2GB/s，已經(jīng)達(dá)到SSD標(biāo)準(zhǔn)(僅在128G版上測(cè)試，32GB/64GB會(huì)略慢些)。
綜合來(lái)看，三星Galaxy S6/S6 edge的硬件條件甚至已經(jīng)可以稱(chēng)之為恐怖，大有橫掃整個(gè)Android陣營(yíng)的水準(zhǔn)。既然它的理論數(shù)值如此優(yōu)秀，那實(shí)際中的性能表現(xiàn)如何?對(duì)此進(jìn)行了測(cè)試。
首先我們用安兔兔來(lái)測(cè)試下硬件的極限性能。從跑分中看到，三星Galaxy S6的安兔兔測(cè)試總成績(jī)高達(dá)68879分，逼近7萬(wàn)。這個(gè)分?jǐn)?shù)可以說(shuō)是Android智能手機(jī)陣營(yíng)里的新高度，已經(jīng)遠(yuǎn)超出同級(jí)別的旗艦手機(jī)。雖然安兔兔跑分測(cè)試的是硬件的極限能力，但從中確實(shí)可以看到Exynos7420這顆芯片的過(guò)人之處。另外在和同級(jí)別的高通驍龍810芯片產(chǎn)品的對(duì)比中也足足提升了20%，硬件表現(xiàn)確實(shí)令人驚訝。
說(shuō)到和高通驍龍810芯片的對(duì)比，我們不妨來(lái)看看二者在具體得分上的詳情。我們以HTC One M9為例，在二者的對(duì)比中可以看到，Exynos7420幾乎是全盤(pán)領(lǐng)先，特別是在多任務(wù)、CPU整數(shù)和RAM運(yùn)算方面大幅度超越，而這和14nm的處理器以及LPDDR4內(nèi)存不無(wú)關(guān)系。所以在硬件的極限能力方面，Exynos 7420確實(shí)要超越高通驍龍810芯片。
HTC One M9(左)和三星Galaxy S6(右)安兔兔跑分對(duì)比
我們來(lái)看下，這三款芯片都是基于ARMv8-A的64位架構(gòu)，其中三星Exynos 7420和高通驍龍810基本一致，都是A57+A53的big.LITTLE架構(gòu)，處理器頻率也基本一致。不過(guò)三星Galaxy S6在A57部分的最高頻率為2.1GHz，而HTC One M9則為2.0GHz，至于A53部分則一樣都是1.5GHz。至于蘋(píng)果A8處理器，則是獨(dú)特的雙核1.4GHz處理器結(jié)構(gòu)。
三款旗艦芯片基本資料對(duì)比
| 手機(jī) | 三星Exynos 7420 | 高通驍龍810 | 蘋(píng)果A8 |
| 制程工藝 | 14 nm FinFET | 20 nm HPM | 20 nm HKMG |
| 架構(gòu) | ARMv8-A 64位架構(gòu) | ||
| 結(jié)構(gòu) | 四核A57+四核A53 | 四核A57+四核A53 | 雙核 |
| 頻率 | 4x2.1GHz+4x1.5GHz | 4x2.0GHz+4x1.5GHz | 2x1.4GHz |
| 圖形處理器 | Mali-T760 MP8 | Adreno 430 | PowerVR GX6450 |
| 圖形頻率 | 772MHz | 650MHz | 450MHz |
| 內(nèi)存類(lèi)型 | 雙通道LPDDR4 1600MHz | 雙通道LPDDR4 1600MHz | 單通道 LPDDR3 1600MHz |
| 內(nèi)存帶寬 | 25.6GB/s | 25.6GB/s | 12.8GB/s |
| 浮點(diǎn)運(yùn)算 | 209.44 GFlops | 324 GFlops | 115.2 GFlops |
| OpenGL ES 3.0 | 支持 | 支持 | 支持 |
在圖形和內(nèi)存方面，三星GALAXY S6使用了目前最高端的Mali-T760MP8，而高通驍龍810同樣使用了Adreno430，二者都是雙通道的LPDDR4內(nèi)存，并且實(shí)現(xiàn)了25.6GB/s的主流帶寬。而蘋(píng)果在圖形方面則是強(qiáng)悍的GX6450，但內(nèi)存方面則是單通道，并且?guī)捯矁H為12.8GB/s，在如今略顯不足。
理論上的數(shù)值分析完后，我們通過(guò)實(shí)際測(cè)試來(lái)對(duì)比下三者的差異，分別采用的產(chǎn)品是三星Galaxy S6(Exynos 7420)、HTC One M9(高通驍龍810)和iPhone 6(蘋(píng)果A8)，由于測(cè)試環(huán)境和個(gè)體均差在差異化，故以下數(shù)據(jù)僅供參考。
3DMark的測(cè)試中，高通驍龍810以23906的得分領(lǐng)先于三星Exynos 7420的22155分，二者的差距也并不算大。不過(guò)在GFXBench3.1中三星S6的成績(jī)反而優(yōu)于HTC One M9，所以整體來(lái)看二者的圖形性能應(yīng)該是旗鼓相當(dāng)。至于蘋(píng)果A8處理器，已經(jīng)被二者甩在身后了。另外考慮到Mali-T760MP8的理論實(shí)力，相信后期還會(huì)有進(jìn)一步的提升。
相信到這里大家可以明白為什么三星Galaxy S6今年將全部使用Exynos 7420芯片，放棄高通驍龍810的版本了。高通驍龍810相比于Exynos 7420幾乎沒(méi)有任何優(yōu)勢(shì)，甚至連高通最擅長(zhǎng)的圖形部分也都被三星打平。再加上Exynos 7420的14nm FinFET工藝，功耗會(huì)比高通驍龍810的20nm更優(yōu)秀。至于高通唯一優(yōu)勢(shì)的基帶部分，也已經(jīng)授權(quán)給三星S6使用了，所以“悲劇”自然也就發(fā)生了。
三星Exynos 7420確實(shí)是一款變態(tài)級(jí)的芯片，14nm FinFET工藝可謂是傲視群雄，而LPDDR4內(nèi)存和UFS2.0技術(shù)更是加分明顯。毫無(wú)疑問(wèn)，這將是上半年最強(qiáng)勁的移動(dòng)處理器芯片，已經(jīng)超越了高通驍龍810和蘋(píng)果A8處理器。當(dāng)然它的遺憾之處也是有的，核心基帶方面依舊來(lái)源于高通，并且三星也不會(huì)授權(quán)該芯片給其它廠商使用。
所以如果你打算購(gòu)買(mǎi)三星Galaxy S6/S6 edge，那性能方面絕對(duì)物有所值。但如果從整個(gè)智能手機(jī)行業(yè)去評(píng)判該芯片，或者對(duì)于用戶來(lái)說(shuō)，高通依然沒(méi)有失去最重要的競(jìng)爭(zhēng)力，網(wǎng)絡(luò)通訊支持和方案整合仍然非他莫屬。如果你需要支持全網(wǎng)通，并且希望有物美價(jià)廉的高端旗艦手機(jī)，那高通驍龍810仍然是行業(yè)的唯一選擇。
Via：IT168機(jī)友會(huì)
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