三星今天在首爾正式宣布開始10nmFinFET工藝SoC芯片量產(chǎn)。
去年，三星率先拿出了首個FinFET工藝的移動AP（應用處理器），也就是我們熟知，立下赫赫戰(zhàn)功的Exynos 7420。
據(jù)悉，三星目前的10nm工藝是10LPE（low-power early），也就是早期低功耗版，這一點和14nm時代的進程一致，后續(xù)還會有10nm LPP（low power plus, advanced power processing），預計明年下半年量產(chǎn)，可用于更高性能的芯片。
按照三星給出的參考值，相較14nm，10nm晶體管面積效率提升30%，性能提升27%，功耗降低40%。韓國巨頭還表示，為了克服比例限制，邊緣技術依然沿用了之前的三重切削，以保證節(jié)點雙向鏈路的靈活性。
三星稱，明年初會正式發(fā)布首款消費級的10nm FinFET芯片，毫無疑問，Exynos 8895和驍龍830系列芯片可以放心用了，今天傳出的高通10nm轉單臺積電應該是“不攻自破”了。
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