在之前14/16nm工藝節(jié)點上，三星比TSMC更早量產(chǎn)FinFET工藝，進度只比Intel落后，這一代的工藝競逐賽就這么定了。而在下一代10nm工藝上，三星、TSMC與Intel又開始較勁了，Intel比較謹慎，10nm工藝的Cannonlake至少要到2017年Q3季度才能問世，TSMC的10nm工藝已經(jīng)凍結(jié)研發(fā)，明年初試產(chǎn)，而三星這次更進一步，率先使用10nm FinFET工藝生產(chǎn)了128Mbit SRAM緩存。
三星電子日前宣布他們已經(jīng)成功使用10nm FinFET工藝生產(chǎn)了128Mbit SRAM緩存，后者通常用于處理器的緩存（L1/L2/L3緩存等等），速度比DRAM內(nèi)存要快得多，目前Intel、TSMC的SRAM緩存還是14、16nm工藝。三星這么快就生產(chǎn)出了10nm工藝的SRAM緩存說明他們的工藝進展很順利。根據(jù)三星所說，與14nm工藝相比，其10nm SRAM緩存核心面積縮小了37.5%，如果應用于移動處理器，不僅性能更高，也有助于降低芯片核心面積。
反觀intel這邊，原計劃在2016年上半年面世的10nm Cannonlake平臺將推遲到2017年下半年，也就是整整跳票1年半。雖然據(jù)說它會普及八核心，慢慢等吧，誰讓這幾年intel在桌面處理器上都沒有什么競爭對手呢？不過話說回來，這么做表面上自然是為了避免和Kaby Lake共存于世，而深層次的原因或許是10nm工藝進展不如預期，以及市場環(huán)境也對其有所影響。
至于10nm量產(chǎn)時間，三星預計的時間點在2016年底，跟TSMC的樂觀預計差不多，至少都比Intel的10nm工藝進度要快——不過前提是這兩家公司都沒吹牛，而且工藝進展一帆風順。當然目前看來10nm的計劃，還是三星的進展最為順利。
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